Антава

VISHAY

Транзистор SIHG73N60AE-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
38 A
Pulsed drain current
173 A
Рассеиваемая мощность
417 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG73N60AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current38 A
Pulsed drain current173 A
Рассеиваемая мощность417 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge394nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.