Антава

VISHAY

Транзистор SIHG70N60EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
45A
Pulsed drain current
229A
Power dissipation
520W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG70N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current45A
Pulsed drain current229A
Power dissipation520W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30V
On-state resistance38mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge380nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.