Антава

VISHAY

Транзистор SIHG64N65E-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
202 A
Power dissipation
520 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG64N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current40 A
Pulsed drain current202 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance47 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge369nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.