Антава

VISHAY

Транзистор SIHG61N65EF-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
41 A
Pulsed drain current
199 A
Рассеиваемая мощность
520 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG61N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current41 A
Pulsed drain current199 A
Рассеиваемая мощность520 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance47 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge371nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.