Антава

VISHAY

Транзистор SIHG47N65E-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
30A
Pulsed drain current
139A
Power dissipation
417W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG47N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current30A
Pulsed drain current139A
Power dissipation417W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30V
On-state resistance72mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge273nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.