Антава

VISHAY

Транзистор SIHG47N60EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
29A
Pulsed drain current
138A
Power dissipation
379W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG47N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current29A
Pulsed drain current138A
Power dissipation379W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30V
On-state resistance65mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge228nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.