Антава

VISHAY

Транзистор SIHG47N60AEF-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
25 A
Pulsed drain current
111 A
Power dissipation
313 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG47N60AEF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current25 A
Pulsed drain current111 A
Power dissipation313 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge189nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.