Антава

VISHAY

Транзистор SIHG460B-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
13A
Pulsed drain current
62A
Power dissipation
278W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG460B-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current13A
Pulsed drain current62A
Power dissipation278W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.25Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 62A; 278W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.