Антава

VISHAY

Транзистор SIHG44N65EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
29 A
Pulsed drain current
154 A
Power dissipation
417 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG44N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current29 A
Pulsed drain current154 A
Power dissipation417 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance73 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge278nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.