Антава

VISHAY

Транзистор SIHG35N60EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG35N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance97 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge134nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.