Антава

VISHAY

Транзистор SIHG33N65EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
93 A
Power dissipation
313 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG33N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Pulsed drain current93 A
Power dissipation313 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge171nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 93A; 313W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.