VISHAY

Транзистор SIHG33N65E-GE3

TO247ACИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 21 A
Pulsed drain current: 101 A
Power dissipation: 313 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHG33N65E-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	21 A
Pulsed drain current	101 A
Power dissipation	313 W
Корпус	TO247AC
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.105 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	173nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.