Антава

VISHAY

Транзистор SIHG33N60EF-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
278 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG33N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current21 A
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность278 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance98 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.