VISHAY

Транзистор SIHG32N50D-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500 V
Drain current: 19 A
Pulsed drain current: 89 A
Power dissipation: 390 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIHG32N50D-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	500 V
Drain current	19 A
Pulsed drain current	89 A
Power dissipation	390 W
Корпус	TO247AC
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.15 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	96nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; Idm: 89A; 390W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.