Антава

VISHAY

Транзистор SIHG28N65EF-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
28 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Корпус
TO247AC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG28N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current28 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.117 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge146nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 250W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.