Антава

VISHAY

Транзистор SIHG25N50E-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG25N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current16 A
Pulsed drain current50 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.145 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.