VISHAY

Транзистор SIHG25N40D-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400 V
Drain current: 16 A
Pulsed drain current: 78 A
Power dissipation: 278 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIHG25N40D-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	400 V
Drain current	16 A
Pulsed drain current	78 A
Power dissipation	278 W
Корпус	TO247AC
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.17 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	88nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 78A; 278W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.