VISHAY

Транзистор SIHG24N80AE-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850 V
Drain current: 21 A
Power dissipation: 208 W
Корпус: TO247AC

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIHG24N80AE-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	850 V
Drain current	21 A
Power dissipation	208 W
Корпус	TO247AC
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	184 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	59nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 21A; 208W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.