Антава

VISHAY

Транзистор SIHG22N60E-E3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
21 A
Power dissipation
227 W
Корпус
TO247AC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG22N60E-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current21 A
Power dissipation227 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 227W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.