VISHAY

Транзистор SIHG22N60AE-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 12 A
Pulsed drain current: 49 A
Power dissipation: 179 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIHG22N60AE-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	12 A
Pulsed drain current	49 A
Power dissipation	179 W
Корпус	TO247AC
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.18 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	96nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.