Антава

VISHAY

Транзистор SIHG22N50D-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
67 A
Power dissipation
315 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG22N50D-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current14 A
Pulsed drain current67 A
Power dissipation315 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.23 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.