Антава

VISHAY

Транзистор SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
42 A
Рассеиваемая мощность
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 88 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%901,66 ₽

Сумма · с НДС 22%901,66 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1901,66 ₽
от 2800,67 ₽
от 5692,47 ₽
от 10622,15 ₽
от 25537,39 ₽
от 50477,88 ₽
от 100423,78 ₽
от 200387,71 ₽
от 500376,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHG20N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current12 A
Pulsed drain current42 A
Рассеиваемая мощность179 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance184 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.