Антава

VISHAY

Транзистор SIHG15N80AEF-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
28 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHG15N80AEF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Pulsed drain current28 A
Рассеиваемая мощность156 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.