VISHAY

Транзистор SIHG11N80E-GE3

TO247ACИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 32 A
Power dissipation: 179 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHG11N80E-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	800 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	32 A
Power dissipation	179 W
Корпус	TO247AC
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	440 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	88nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.