Антава

VISHAY

Транзистор SIHG080N60E-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
22 A
Pulsed drain current
96 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG080N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current22 A
Pulsed drain current96 A
Power dissipation227 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.