Антава

VISHAY

Транзистор SIHG018N60EGE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
99A
Power dissipation
524W
Корпус
TO247AC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG018N60EGE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current99A
Power dissipation524W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30V
On-state resistance23mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge228nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 99A; 524W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.