Антава

VISHAY

Транзистор SIHG018N60E-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
63A
Pulsed drain current
325A
Power dissipation
524W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHG018N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current63A
Pulsed drain current325A
Power dissipation524W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30V
On-state resistance23mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge228nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC

Документация

Документы пока не предоставлены.