Антава

VISHAY

Транзистор SIHFZ48RS-GE3

SIHFZ48RS-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
50A
Pulsed drain current
290A
Power dissipation
190W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFZ48RS-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current50A
Pulsed drain current290A
Power dissipation190W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance18mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W

Документация

Документы пока не предоставлены.