Антава

VISHAY

Транзистор SIHFZ34S-GE3

SIHFZ34S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
120 A
Power dissipation
88 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFZ34S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current21 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation88 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 120A; 88W

Документация

Документы пока не предоставлены.