Антава

VISHAY

Транзистор SIHFUC20-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
1.3 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFUC20-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current1.3 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation42 W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.