VISHAY

Транзистор SIHFU9120-GE3

IPAK, TO251Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -5.6 A
Pulsed drain current: -22 A
Power dissipation: 42 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHFU9120-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-5.6 A
Pulsed drain current	-22 A
Power dissipation	42 W
Корпус	IPAK, TO251
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.6 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W

Документация

Документы пока не предоставлены.