Антава

VISHAY

Транзистор SIHFU320-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Pulsed drain current
12A
Power dissipation
42W
Корпус
IPAK, TO251
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFU320-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Pulsed drain current12A
Power dissipation42W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12A; 42W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.