VISHAY

Транзистор SIHFU020-GE3

IPAK, TO251Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 9 A
Pulsed drain current: 56 A
Power dissipation: 42 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHFU020-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	9 A
Pulsed drain current	56 A
Power dissipation	42 W
Корпус	IPAK, TO251
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.1 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	25nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.