Антава

VISHAY

Транзистор SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
5.8 A
Pulsed drain current
37 A
Power dissipation
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFS9N60A-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current5.8 A
Pulsed drain current37 A
Power dissipation170 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W

Документация

Документы пока не предоставлены.