Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9310TRL-GE3

SIHFR9310TRL-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-400 V
Drain current
-1.1 A
Pulsed drain current
-7.2 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9310TRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-400 V
Drain current-1.1 A
Pulsed drain current-7.2 A
Power dissipation50 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W

Документация

Документы пока не предоставлены.