Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9214-GE3

SIHFR9214-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-250 V
Drain current
-1.7 A
Pulsed drain current
-11 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9214-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-250 V
Drain current-1.7 A
Pulsed drain current-11 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.7A; Idm: -11A; 50W

Документация

Документы пока не предоставлены.