Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9210TR-GE3

SIHFR9210TR-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-1.2A
Pulsed drain current
-7.6A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9210TR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-1.2A
Pulsed drain current-7.6A
Power dissipation25W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.