Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9120-GE3

SIHFR9120-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-5.6 A
Pulsed drain current
-22 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9120-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-5.6 A
Pulsed drain current-22 A
Power dissipation42 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W

Документация

Документы пока не предоставлены.