Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9110TR-GE3

SIHFR9110TR-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-2A
Pulsed drain current
-12A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9110TR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-2A
Pulsed drain current-12A
Power dissipation25W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.