Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9024-GE3

SIHFR9024-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-5.6 A
Pulsed drain current
-35 A
Рассеиваемая мощность
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9024-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-5.6 A
Pulsed drain current-35 A
Рассеиваемая мощность42 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W

Документация

Документы пока не предоставлены.