Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9020TR-GE3

SIHFR9020TR-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-50 V
Drain current
-6.3 A
Pulsed drain current
-40 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9020TR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-50 V
Drain current-6.3 A
Pulsed drain current-40 A
Power dissipation42 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -6.3A; Idm: -40A; 42W

Документация

Документы пока не предоставлены.