VISHAY

Транзистор SIHFR9014TR-GE3

SIHFR9014TR-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -3.2 A
Pulsed drain current: -20 A
Power dissipation: 25 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHFR9014TR-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-3.2 A
Pulsed drain current	-20 A
Power dissipation	25 W
Корпус	DPAK, TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	12nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.