Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR9014-GE3

SIHFR9014-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-3.2A
Pulsed drain current
-20A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR9014-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-3.2A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation25W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.