Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR430ATRR-GE3

SIHFR430ATRR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
3.2 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR430ATRR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current3.2 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation110 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W

Документация

Документы пока не предоставлены.