Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR420ATR-GE3

SIHFR420ATR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.1 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
83 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR420ATR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.1 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation83 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.