Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR320TR-GE3

SIHFR320TR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFR320TR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400 V
Drain current2 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation42 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.