Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR310TRR-GE3

SIHFR310TRR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400 V
Drain current
1.1 A
Pulsed drain current
6 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR310TRR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400 V
Drain current1.1 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.