Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR310-GE3

SIHFR310-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400V
Drain current
1.1A
Pulsed drain current
6A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR310-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400V
Drain current1.1A
Pulsed drain current6A
Power dissipation25W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.