Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR220TRL-GE3

SIHFR220TRL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
3 A
Pulsed drain current
19 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR220TRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current3 A
Pulsed drain current19 A
Power dissipation42 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.