Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR024-GE3

SIHFR024-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
9A
Pulsed drain current
56A
Power dissipation
42W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFR024-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current9A
Pulsed drain current56A
Power dissipation42W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.